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新型电子元器件技术的状况如何 ?
2014-06-30

  新型电子元器件技术状况


  
  片式R/L/C元件:


  
  新产品中的介电层厚度是1.8m ,内部电极的厚度是1.6m。未来 ,把介电层厚度做成1m,并且逐渐把内电极做得更薄:1.2m    ,0.8m直至0.5m,将能够提供电容量更大的产品 ,例如尺寸为1005的10F电容器    。又如TDK2012/1608叠层型片式电感器的电感量分别达到220/100H        。


  
  在工艺上也在发展,如 :为了节省昂贵的金属钯(约20万元/公斤),国外各主要生产厂家都己开始采用价格较低的金属Ni(36元/公斤)或Cu作为内电极制作BME-MLCC,己占到总量的90%以上 。Ni电极浆料成本约为钯电极浆料成本的60% ,电容器成本可降低20%  ,成为当今MLCC生存竞争的热点 。我国在这方面刚刚起步 ,形势极其严峻 。


  
  日本某公司采用Ni电极开发出B特性100F大容量多层陶瓷电容器  。该种多层陶瓷电容器,通过进一步进行材料超细化和高分散化 ,提高了可靠性  。运用介质材料的薄层化和高精度叠层技术,数百层的叠层体与内部电极组合在一起   ,使介质成为无缺欠的烧结体,并采用独特的排胶和烧结技术来实现的。
  
  

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